解决方案
SOLUTION
RF MEMS器件设计的理想工具
RF MEMS器件在无线通信系统中发挥关键作用,其性能直接决定系统性能。因此,RF MEMS器件设计与优化是非常重要的RF MEMS器件设计需要考虑多种强相关的物理场效应,结构本身也较为复杂,建模与仿...
MEMS蚀刻工艺（三）- 干法蚀刻
干法蚀刻技术可分为三个独立的类别，称为反应离子蚀刻 (RIE)、溅射蚀刻和气相蚀刻。在 RIE 中，衬底被放置在一个反应器内，其中引入了几种气体。使用射频电源在气体混合物中产生等离子体，将气体分子分解...
MEMS蚀刻工艺（二）- 湿法蚀刻
湿法蚀刻是最简单的蚀刻技术。它所需要的只是一个装有液体溶液的容器，可以溶解相关材料。不过，湿法蚀刻也存在一些复杂性，通常需要一种掩模来选择性地蚀刻材料,所以必须要找到一种掩模材料,它本身不会被溶解,或...
MEMS蚀刻工艺（一）-概览
蚀刻技术是微电子机械系统(MEMS)器件制造中最为关键和基础的工艺步骤之一。它通过选择性移除材料,在衬底或薄膜上实现各种微结构的形成。蚀刻技术可以大致分为湿法蚀刻和干法蚀刻两种,前者浸入化学溶液中使材...
MEMS光刻工艺（四）-光刻模组
通常,光刻工艺是作为一个特性良好的模组的一部分来实现的,该模组包括晶圆表面制备、光刻胶沉积、掩膜与晶片对准、曝光、显影以及适当的光刻胶调节。光刻工艺步骤需要按顺序表征,以确保模组结束时剩余的光刻胶是掩...
MEMS光刻工艺（三）-曝光
为了实现掩模上的结构图案精确转移到光敏层,所需的曝光参数主要取决于辐射光源的波长和实现光刻胶所需性质变化的剂量。不同的光刻胶对不同波长的光表现出不同的敏感性。用于良好图案转移的每个光刻胶体积单位所需的...
MEMS自动化设计软件领导者
关注我们
COPYRIGHT © 2022版权所有武汉恩硕科技有限公司
