解决方案
SOLUTION
MEMS光刻工艺（三）-曝光
为了实现掩模上的结构图案精确转移到光敏层,所需的曝光参数主要取决于辐射光源的波长和实现光刻胶所需性质变化的剂量。不同的光刻胶对不同波长的光表现出不同的敏感性。用于良好图案转移的每个光刻胶体积单位所需的...
MEMS光刻工艺（二）-对准
为了制造有用的器件,属于同一结构的不同光刻工艺步骤的图案必须相互对准。转移到晶圆上的第一张图案通常包括一组对准标记,这些是用于确定后续图案相对于第一张图案位置的高精度特征(如下图所示)。使用对准标记来...
MEMS光刻工艺（一）-图案转移
在微电子机械系统(MEMS)中,光刻技术通常指利用选择性曝光于某种辐射源(如光)将预定图案转移到光敏材料上。光敏材料指在接触到辐射源时其物理特性会发生变化的材料。如果我们通过屏蔽部分辐射源的方式选择性...
MEMS薄膜沉积工艺（四）-物理沉积
物理气相沉积 (PVD)PVD 涵盖多种沉积技术，其中材料从源释放并转移到基板。最重要的两项技术是蒸发和溅射。什么时候要使用 PVD？PVD 包含金属沉积的标准技术。对于金属来说，它比 CVD 更常见...
MEMS薄膜沉积工艺（三）-化学沉积下
外延这项技术与CVD工艺中发生的情况非常相似，但是，如果衬底是有序的半导体晶体（即硅、砷化镓），则可以使用此工艺继续在衬底上构建与衬底相同的晶体取向作为沉积的种子。如果使用非晶质/多晶质基底表面，薄膜...
MEMS薄膜沉积工艺（二）-化学沉积上
化学气相沉积 (CVD)在这个过程中，基质被放置在一个反应器内，向其提供一些气体。该过程的基本原理是，源气体之间发生化学反应。该反应的产物是一种固体材料，凝结在反应器内的所有表面。MEMS中最重要的两...
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